一、Electrochemistry of sphalerite activated by Cu~(2+) ion（论文文献综述）
王潇,文书明,韩广,廖润鹏,孟胜冰,丰奇成[1]（2021）在《硫化铅锌矿石浮选分离技术研究进展》文中研究指明铅和锌是工业生产中必不可少的金属原料,随着工业的快速发展,易选别的硫化铅锌矿石难以满足铅锌资源的需求。硫化铅锌矿的分离一直都是矿物加工工程领域的研究热点。但是由于铅锌矿中各目的矿物紧密伴生,各种离子对目的矿物作用复杂等多种原因导致其高效分离和综合利用困难。本文在前人研究的基础上,归纳和分析了硫化铅锌矿难以分离的主要因素,并详细阐述了硫化铅锌矿浮选分离工艺和药剂,讨论了对硫化铅锌矿分离研究的方向,以期对硫化铅锌矿高效浮选提供参考。
晋艳玲,谢海云,张培,柳彦昊,孙瑞,冯艳虎[2]（2021）在《典型铜铅锌硫化矿的表面氧化机理研究进展》文中进行了进一步梳理方铅矿、闪锌矿和黄铜矿是三种典型的硫化矿物,且矿物表面氧化程度和氧化产物的类型对其浮选行为有显着影响。以方铅矿、闪锌矿和黄铜矿为研究对象,介绍了铜铅锌硫化矿的表面特性,总结了三种典型硫化矿物的表面氧化机理,旨在为铜铅锌硫化矿物的表面选择性氧化、浮选行为调控及高效浮选分离提供一定的参考。
赵清平,蓝卓越,童雄[3]（2021）在《铜离子对闪锌矿、黄铁矿浮选的选择性活化机理研究》文中研究说明本文对铜离子活化闪锌矿（ZnS）和黄铁矿（FeS2）的表面化学、溶液化学以及两种矿物的浮选分离进行了综合评述,分析讨论了铜离子浓度、活化时间、pH值、表面电荷、表面氧化程度、矿浆电位等主要因素对闪锌矿和黄铁矿活化浮选的影响。为生产实践中闪锌矿、黄铁矿的绿色、高效浮选分离提供一定的理论及技术支撑。
胡盘金,郑永兴,包凌云,黄宇松,宁继来[4]（2021）在《硫化铅锌矿物浮选药剂应用研究进展》文中进行了进一步梳理浮选是多金属硫化矿分离铅锌最有效的方法之一。铅锌分离困难的主要原因是方铅矿和闪锌矿具有相近的可浮性、二者致密共生且嵌布关系复杂,而解决该问题的关键在于高效浮选药剂的选择与应用。系统概述了硫化铅锌矿捕收剂、抑制剂、活化剂和pH值调整剂的主要应用研究进展,分析了各种浮选药剂的适用范围以及优缺点。指出药剂制度的优化和新药剂的研发应遵循高效、低成本和无污染等原则。
徐彦乔[5]（2021）在《离子液体辅助制备Cu-In-Zn-S和CsPbX3纳米晶及其荧光性能研究》文中指出半导体纳米晶由于具有独特的光电性质,在发光二极管、太阳能电池、光电探测、生物成像等领域引起了广泛的关注。目前,镉基纳米晶已率先实现了商业应用,但是仍存在制备工艺复杂、制备成本较高等问题,成为了该类材料大规模应用道路上的绊脚石。因此,发展新型高效、低成本的半导体纳米晶及其制备技术具有重要意义。本文利用离子液体特殊的物理化学性质,以不同类型的离子液体为出发点,探索了其在多元和钙钛矿纳米晶合成过程中的作用机理,借助离子液体与配体的协同作用实现对纳米晶生长动力学和发光动力学的有效调控。主要开展了以下四方面的工作:（1）针对水相合成Cu-In-Zn-S（CIZS）多元纳米晶存在反应时间较长、量子产率偏低的突出问题,发展了一种离子液体辅助水热法快速制备CIZS纳米晶的新途径。利用含氟离子液体1-甲基咪唑四氟硼酸盐（[Mim]BF4）在反应过程中形成的F-对纳米晶的表面悬键进行刻蚀,同时结合宽带隙半导体材料ZnS的表面包覆,充分钝化纳米晶的表面缺陷,将其荧光量子产率由6.2%提高至31.2%。此外,离子液体较低的表面张力有效地提高了纳米晶的瞬间成核率,反应时间由5 h缩短至1 h。随后,将CIZS/ZnS纳米晶与聚乙烯吡咯烷酮（PVP）基质复合,制备了CIZS/ZnS/PVP复合荧光粉,并结合Lu3Al5O12:Ce3+荧光粉与蓝光芯片组装成白光LED,器件的发光效率（LE）高达90.11 lm/W,显色指数（CRI）和色温（CCT）分别为87.2和4977 K,说明CIZS/ZnS/PVP复合荧光粉在固态照明领域极具应用潜力。（2）为了获得兼具制备成本低廉及荧光性能优异的纳米晶材料,采用离子液体辅助过饱和重结晶法制备了CsPbBr3纳米晶。通过引入含溴离子液体1-丁基-3-甲基咪唑溴盐（[Bmim]Br）改善纳米晶的表面性质,提高了纳米晶表面Br元素的含量,纳米晶的表面由缺Br态向富Br态转变,量子产率由78.73%增加至91.04%。此外,[Bmim]Br有助于调控CsPbBr3纳米晶的形貌及晶粒尺寸,提高了纳米晶的粒径均匀性。更为重要的是,纳米晶的光、储存稳定性也得到了显着的提高,在室温下存储91天或在紫外灯下连续照射24 h后均能保持80%以上的初始荧光强度。最后,通过阴离子交换反应获得了一系列不同组分的CsPbX3纳米晶,其发射峰在462～665 nm范围内连续可调,色域可达北美国家电视标准委员会（NTSC）标准的129.65%,为高质量钙钛矿纳米晶的制备及其光电应用提供了参考。（3）针对钙钛矿纳米晶因存在表面Pb缺陷而导致荧光性能及稳定性降低的问题,提出了一种简单高效的含氟酸根离子液体原位钝化表面缺陷的策略。通过在纳米晶的合成过程中引入含氟酸根离子液体1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐（[Bmim]BF4）,分别利用离子液体的阴、阳离子的协同作用原位消除纳米晶表面富余的Pb0和表面悬键,充分钝化纳米晶的表面缺陷,其荧光量子产率可由63.82%提升至94.63%。此外,研究结果进一步证实了其它类型的含氟酸根离子液体均可有效提升纳米晶的荧光性能,表明该原位钝化策略具有普适性。吸附在纳米晶表面的[Bmim]+为纳米晶提供了疏水性的保护壳层,因此纳米晶的储存、光、水、热稳定性均得到了显着的提升。将制得的纳米晶应用于白光LED中,器件的LE高达100.07lm/W,色域覆盖范围可达NTSC标准的140.64%,说明CsPbBr3纳米晶在背光显示领域极具应用潜力。（4）为进一步提升CsPbBr3纳米晶的稳定性,发展了一种简单快速制备CsPbBr3@SiO2纳米晶的新途径。利用离子液体[Bmim]BF4具有较大的极性和一定的吸湿性捕捉空气中的水分,促进APTES快速水解形成SiO2层包覆于CsPbBr3纳米晶的表面,SiO2的最佳包覆时间由10 min显着缩短至20 s。此外,离子液体疏水性的有机阳离子吸附在纳米晶表面,有效避免了纳米晶在包覆过程中因被水或醇侵蚀而造成荧光性能的衰减。因此,CsPbBr3@SiO2纳米晶的稳定性得到了显着的提高,保存120天后,仍可维持96.12%的初始荧光强度。随后,制备了一系列不同组分的CsPbX3@SiO2纳米晶,其发光峰的中心位置可在421.2～651.6 nm范围内调谐,色域可达NTSC标准的143.57%。由于SiO2比CsPbX3纳米晶具有更高的导带底和更低的价带顶,因此可将电子与空穴限制在CsPbX3内,钝化了纳米晶的表面态,从而提升了CsPbX3纳米晶的荧光性能。最后,将CsPbBr3@SiO2纳米晶与CIZS/ZnS/PVP复合荧光粉结合组装成白光LED,器件的CRI高达90.5,CCT为4715 K,LE为41.57 lm/W。本工作为快速可控制备CsPbX3@SiO2纳米晶及其光电应用奠定基础。
杨新迎[6]（2021）在《ZnO基复合材料的制备及光催化性能研究》文中指出本论文主要以ZnO光催化材料为基础,然后与其他半导体、金属或碳材料形成复合材料。通过引入不同类型的材料来改善氧化锌的性能,增加氧化锌的应用。第一章,首先介绍了半导体光催化技术的研究意义,其次详细探讨了半导体光催化的应用,然后是ZnO的基本性质及需要改善的问题,最后提出了以ZnO为基体与其他材料复合形成各种异质结增强光催化性能的方法。第二章,制备了ZnO@ZnS异质结。ZnO纳米棒组成的花通过一步水热法合成,在此基础上将ZnS纳米颗粒均匀锚固在ZnO表面,形成ZnO@ZnS核壳异质结构。调控硫脲的量可以获得不同比例的ZnO@ZnS复合材料。详细介绍了ZnO@ZnS异质结的形成机制并研究了不同负载量的ZnS对ZnO的形貌,结晶性能,比表面积,光电响应和光催化产氢活性的影响。第三章,制备了Cu@Cu2O@ZnO异质结。首先合成了ZnO纳米颗粒,然后通过光沉积法合成了Cu@Cu2O@ZnO异质结。Z-型异质结的构建改善了光催化性能,其中,金属铜纳米粒子在光催化降解中起着不可替代的作用。一方面,它作为电子-空穴猝灭位点,阻碍了半导体本身的重组。另一方面,它具有等离子体共振的作用,从而改善了光响应的范围。第四章,制备了ZnO/RGO/g-C3N4异质结。首先制备了ZnO、ZnO/RGO、g-C3N4材料,然后通过高温煅烧获得了三元异质结。g-C3N4材料禁带宽度小,因此,在可见光区域表现出更宽的吸收,并且还原电势位置比较高。此外,RGO的引入使ZnO/g-C3N4复合材料的电子能够逐步转移,因此,ZnO/RGO/g-C3N4异质结具有更强的光催化活性和稳定性。第五章,是对上述实验工作的概括。主要包括每个工作的创新之处以及对其进行更深入探究的想法。在本论文中,成功地合成了ZnO@ZnS异质结,异质结的构建提高了光催化产氢的活性并抑制了ZnO的光腐蚀效应;通过光沉积法获得了Cu@Cu2O@ZnO异质结,Z-型机制的构建改善了光生载流子的分离从而增强了光催化性能;三元ZnO/RGO/g-C3N4异质结的制备,拓宽了ZnO的光响应范围,促进了光生电子的转移,在可见光下展现出优异的降解性能。
张晓亮[7]（2021）在《微波作用下载金硫化物中单质硫的释放及其浸金机制研究》文中认为目前,黄金的提取仍以氰化法为主,但氰化物的剧毒性给黄金生产企业带来了巨大的环保压力。碱性含硫试剂被认为是一类最具希望替代氰化物的环保型浸金药剂,它可通过将单质硫溶于碱性溶液来制备。针对传统氰化浸金工艺环境污染严重的问题,本文提出了利用载金硫化物微波热分解过程中生成的单质硫来实现非氰自浸金的新思路。考察了载金硫化物释放单质硫的热力学条件和黄铁矿原位加热过程中物相转变的基本规律,深入研究了微波作用下载金硫化物热分解过程中单质硫的释放规律与生成机理,探讨了微波辐射对黄铁矿热分解过程中硫元素转化的促进作用机理;利用耗散型石英晶体微天平原位研究了热分解生成的单质硫在碱性溶液中浸金的作用机制,完善了金精矿微波热分解-自浸出的基础理论体系。主要研究结论如下:载金硫化物热分解过程中生成的单质硫主要来源于黄铁矿。在氮气气氛下,黄铁矿原位加热过程中的相变温度区间为500～600℃,提高温度对黄铁矿中S-S键伸缩振动的影响更为显着。随着温度的升高,黄铁矿晶格发生线性热膨胀,平均体膨胀系数为5.64×10-3 K-1,热分解生成的磁黄铁矿沿着z轴方向的热膨胀明显更快。高硫金精矿的微波吸收性能随着温度的不断升高先增强后减弱,在频率为2.45 GHz的室温下物料复介电常数的虚部值为9.99,当温度达到700℃时,虚部值增大为原来的4.76倍,继续升温至900℃时,虚部值反而减小为27.76,但仍然高于500℃时复介电常数的虚部值11.40。在微波辐射温度为450℃时,黄铁矿热分解产物中已经有磁黄铁矿产生,温度达到900℃时的硫元素转化率为46%。黄铁矿微波热分解过程中生成了不同晶体结构的磁黄铁矿相,矿物晶体由等轴晶系逐渐转变为六方晶系;硫元素化学形态首先从黄铁矿中的S22-向Sn2-转化,随着温度的升高Sn2-将进一步转化为S2-,该过程中Sn2-的出现表明样品中存在S0。在微波辐射作用下,高硫金精矿中的黄铁矿热分解后颗粒内部产生大量空洞和孔道结构,生成了纳米级磁黄铁矿多晶聚合体,晶体结构的对称性降低;在700℃下保温30 min后,物料孔隙率从32.9%增大到48.9%,总孔面积增大为原来的2.16倍,这使得原本被硫化矿物包裹的金裸露出来,增加了金与浸出试剂的接触机会。通过对比研究发现,微波辐射加热降低了黄铁矿热分解过程中的物相转变温度,促进了黄铁矿热分解过程中硫的形态转化,使黄铁矿热分解反应活化能降低了 27.14 kJ·mol-1,提高了单质硫的生成量。黄铁矿在热分解过程中Fe-S键更容易发生断裂,但在高温下S-S键也会出现断裂,[FeS6]八面体随着温度的升高逐渐解体,释放出气态的单质硫。外加电场使黄铁矿晶格中原子电子云发生微小位移,削弱了原子间的相互作用力,而且外加磁场对黄铁矿热分解的化学反应也具有促进作用。利用载金硫化物微波热分解过程中生成的单质硫在碱性溶液中浸出其自身热分解产物中的金,浸出率可以达到90%以上。借助耗散型石英晶体微天平原位研究了单质硫在碱性溶液中浸金的作用机制,发现微波热分解过程中生成的单质硫与升华硫在碱性溶液中的浸金性能几乎相同,金的溶出速率分别为0.59ng·cm-2·s-1和0.68 ng·cm-2·s-1;铜氨络离子可以消除含硫浸金试剂在金表面的吸附过程,从而显着提高金的溶出速率。单质硫在碱性溶液中溶解后形成的含硫组分在金表面发生粘弹性吸附,浓度越高吸附层的柔性越强,金表面钝化越严重,在金与浸出溶液界面发生含硫试剂的浸金反应生成了Au-S配合物并溶出。
马东[8]（2021）在《酰基硫代酰胺对硫化矿的浮选性能与机理研究》文中研究表明浮选捕收剂是矿物浮选过程中必不可少的药剂,具有高效回收能力捕收剂的分子设计与合成成为选矿领域的热点。本文合成了一系列酰基硫代酰胺捕收剂,其分子结构中的S、O配位原子容易与金属原子发生螯合,可以显着提高对硫化矿的浮选性能,同时通过一系列检测手段,考察了酰基硫代酰胺在硫化矿表面的浮选性能与机理。利用量子化学计算考察了乙酰基硫代苯甲酰胺（ATBA）、丁酰基硫代苯甲酰胺（BTBA）、特戊酰基硫代苯甲酰胺（TTBA）的分子几何结构参数和量化性质,并与传统捕收剂乙硫氨酯（IPETC）作对比,预测了不同捕收剂对矿物的捕收能力及其作用位点。乙硫氨酯和酰基硫代酰胺捕收剂疏水性强弱顺序为:TTBA>BTBA>IPETC>ATBA,表明TTBA和BTBA的疏水性都强于IPETC,ATBA的疏水性弱于IPETC;静电势能图表明,酰基硫代酰胺正电荷集中在与N原子相连的H原子上,负电荷主要集中在羰基O和硫羰基S原子上,预测了其与矿物的主要作用位点为C=S、C=O基团;四种捕收剂HOMO能量值大小顺序为TTBA>BTBA>ATBA>IPETC,说明了酰基硫代酰胺具有更强的给电子能力。以硫代苯甲酰胺和酰氯为原料,吡啶为催化剂,在丙酮溶剂中合成了三种酰基硫代酰胺化合物,考察了原料摩尔比、溶剂用量、反应时间和反应温度对产物收率的影响。在最优的反应条件下,ATBA、BTBA和TTBA收率分别为87.2%、86.2%和82.3%。采用紫外可见分光光度计、傅里叶变换红外光谱仪、核磁共振仪和气质联用分析仪对合成的产物进行表征,确定合成了目标产物。考察了三种新型捕收剂ATBA、BTBA、TTBA以及传统捕收剂IPETC对黄铜矿和黄铁矿的浮选分离效果,单矿物浮选实验结果表明,与IPETC相比,酰基硫代酰胺类捕收剂对黄铜矿具有更强的捕收能力,同时对黄铁矿具有良好的选择性;接触角测试表明,酰基硫代酰胺捕收剂可以显着改善黄铜矿表面的疏水性,对黄铁矿表面疏水性的改善效果不明显;Zeta电位测试结果表明,TTBA可以选择性地吸附到黄铜矿的表面并且使其等电点负移,而TTBA与黄铁矿作用之后,黄铁矿的等电点几乎没有发生变化,说明TTBA更容易吸附到黄铜矿表面;吸附热力学和吸附动力学结果表明,TTBA在黄铜矿表面的吸附是一种自发进行、吸热、熵增的化学吸附过程;基于DFT计算和XPS检测分析可知,TTBA的活性中心位于C=S和C=O基团,分子中的S和O原子与黄铜矿表面的Cu原子发生作用,通过形成Cu-S和Cu-O键吸附在黄铜矿表面。
集博腾[9]（2021）在《不同形貌硒化铜微纳米晶的制备及其电化学性质的研究》文中指出发展可再生和高效的能源转换材料对于满足不断增长的能源消耗和环境保护来说至关重要。具有多面体形貌电极的电池是理想的电源设备之一,其高比表面积、高材料负载量以及独特晶体结构可以有效地提升电池的能量与功率密度。目前,对于硒化铜的研究主要集中在零维量子点、一维的纳米棒、纳米管,二维的纳米片、纳米薄膜。多面体形貌硒化铜晶体的合成却少见报道,如何稳定且高效的合成多面体形貌硒化铜晶体,仍需进行科学研究的不断探索。此外,对于晶体结构电池的研究,大多集中于电极结构的实验设计以及材料的优化合成等方面,而对于能够有助于全面和深入的理解电池的动力学特性与电极结构演变的理论模拟和分析却有所忽视。本文首先通过总结纳米晶生长的一般规律,设计合成多面体形貌CuSe2微纳米晶,采用微波辅助多元醇介种生长法,通过改变吸附剂用量、还原剂用量,反应物配比、溶剂用量、反应温度等反应条件,首次合成立方体、八面体、菱形十二面体、五角十二面体、十四面体、二十面体形貌的单晶、多晶、孪晶结构的多面体CuSe2微纳米晶,并使用XRD、SEM和TEM对产物的晶型和形貌进行表征。其次通过观察不同形貌的多面体形貌CuSe2微纳米晶的生长过程,阐明了不同形貌的多面体CuSe2微纳米晶、衍生物、接枝结构以及孪晶结构的生长、形貌转变机理。然后研究了不同形貌多面体CuSe微纳米晶的电化学性能,通过循环伏安、交流阻抗、恒电流充放电实验,测定了其电极反应过程动力学,讨论了其电极反应机理。研究结果表明:（1）在CuSe2微纳米晶的合成和形貌调控实验中,硒单质还原与PVP封盖效应在晶界面的竞争对CuSe2微纳米晶的形成和形貌调控起着至关重要作用;CTAB则通过对卤化物反离子的特定吸附,降低了结合面的表面能,形成了受控的形貌。表面活性剂对硒化铜晶面的表面能也有着显着的影响。表面活性剂会选择性改变CuSe2晶面的表面能量,通过调控晶体表面能和生长动力学,使其生长为不同形貌的CuSe2晶体。（2）不同形貌的微纳米晶其形貌演变的生长动力学不同,包括形貌转变以及纳米晶的自组装效应。在形貌转变中,PVP的封盖效应和硒单质的还原在晶体生长中作用较大,PVP可以选择性地稳定CuSe2的{111}面,并在{111}面上封盖占优势时形成八面体纳米晶,引入CTAB,PVP、CTA+烃链和Br-离子的协同效应可使八面体向立方体CuSe2微纳米晶转变。而当硒单质还原在{111}面上占优势时可使八面体向菱形十二面体纳米晶转变。当八面体由于晶格失配以及结构畸变引起内部弹性形变时,可使其向表面含有孪晶界缺陷的二十面体转变,同时二十面体表面缺陷也有利于硒原子的吸附及向五角十二面体的转变。在自组装效应中,六边形CuSe纳米晶体自组装垂直于面层,可能导致形成多层结构的强烈倾向。三角CuSe纳米板的组合中,偶极矩沿纳米晶体的侧面分布,强的范德华相互力作用依赖于两种物质的距离,二者的相互作用可形成具有一定空间构型的八面体CuSe微纳米晶。在这些形貌转变的过程中,由于各向异性以及扩展速率的影响还形成一些衍生结构的CuSe2微纳米晶。（3）形貌对电极反应过程动力学有着显着的影响。通过循环伏安测试,说明了CuSe2微纳米晶的电极反应过程动力学是表面吸附控制的,不同形貌的CuSe2电极的氧化峰电流随着CuSe2微纳米晶几何面的增加逐渐增大。通过不同电压和不同电解液浓度的EIS图谱,说明高频区的半圆主要反映的是CuSe2晶体颗粒之间、CuSe2/集流体之间的电子接触阻抗,以及CuSe2晶体表面的Li+的吸附和脱附阻抗。中频区的半圆则主要反映了Li+在电极表面的电荷交换阻抗和电解液在CuSe2表面分解形成的界面膜阻抗,且随着CuSe2晶体几何面增加,CuSe2晶体颗粒之间、CuSe2/集流体之间的电子接触阻抗降低。此外CuSe2电极的充放电平台电位差随着晶体几何面的增加逐渐降低,且充放电平台电位差越小,电极反应的可逆性越强,CuSe2电极性能越好。本文建立的不同形貌CuSe2微纳米晶的形貌转变模型和其形貌转变机理,可以解释和预测不同结晶面的多面体纳米晶合成。通过测定不同形貌CuSe2微纳米晶电极反应过程动力学,讨论了其电极反应机理。硒化铜纳米晶的表面和结构调控及其电化学性质的研究,对于合成不同形貌的单晶、多晶、孪晶结构的过渡金属硫属化合物以及在电催化领域的研究和应用提供了重要的依据和参考。
周璇[10]（2021）在《ZnO基多色光电探测器的制备及性能研究》文中研究说明随着光电子器件向低维度、多波段、集成化方向发展,多色光电探测器成为光学与电子信息领域中的研究热点。其中,紫外（UV）探测技术由于受干扰因素少,发展更加稳定成熟。作为第三代II-VI族直接带隙半导体材料的代表,氧化锌（ZnO）具有光学带隙宽（3.37 e V）、激子束缚能高、生长环境温度要求低、无毒无害等优点,是理想的紫外探测材料。同时通过掺杂Mg元素能够获得禁带宽度可调的Zn Mg O合金（3.37 e V-7.8 e V）,实现器件探测范围涵盖紫外多波段。本论文优化了ZnO/MgxZn1-xO异质结薄膜结构及质量,提高器件的紫外多色探测能力。同时为了使器件光响应范围不局限于紫外区域而向可见（Vis）-近红外（NIR）光区拓展,引入窄带隙p-CuxO半导体材料,使用复合型器件成功获取紫外-可见-近红外多个波段目标信息,从而提高太阳光谱利用率及光电探测精度和效率。论文主要研究工作如下:（1）从ZnO基薄膜带隙可调入手,制备了金属-半导体-金属（MSM）结构的MgxZn1-xO（0≤x≤1）薄膜紫外探测器,研究发现器件光响应随Mg掺杂含量的增加而向短波紫外方向移动。深入分析了ZnO紫外光电器件的内增益随外加偏压先升高后降低的现象。由于初始阶段空穴的捕获堆积,降低了金属-半导体间的势垒高度,同时抑制电荷复合,吸引更多外部电子输运导致器件内部较大的增益。当施加偏压足够大,电场足够强,空穴因此发生扫除效应而使内增益迅速降低。（2）从提高双层膜载流子浓度入手,构建Mg0.2Zn0.8O/ZnO可见盲光电探测器。设计系列宽度叉指电极,利用热电子发射理论,通过耗尽层宽度调控提升器件光电性能。进一步优化双层膜结构,基于O极性面薄膜的自发极化、压电极化效应与异质结界面势垒协同作用,对表面电荷进行约束和积聚,从而引入高浓度的二维电子气,使ZnO/Mg0.2Zn0.8O界面自发形成高载流子浓度(～1018 cm-3)。改变传统的提升薄膜器件性能的手段,使UVA/UVB双色紫外探测器件在较低偏压（5 V）下的外量子效率和探测率可分别高达14858%和1014 Jones,大幅度提高可见盲双色紫外光电器件探测弱信号的能力。（3）从拓宽紫外光区探测范围入手,调节Mg含量,构筑Mg0.51Zn0.49O/ZnO日盲-可见盲光电探测器。优化薄膜外延生长手段,研究发现Mg ZnO薄膜与ZnO缓冲层（30 min）刚好处于从三维接触转变为二维接触的临界状态,位错密度低,成核密度大,以此来减缓薄膜内应力,提高薄膜器件的光电探测能力。进一步改变溅射生长条件,制备出混相Mg ZnO薄膜,采用二维电子气器件的薄膜结构,充分利用立方和六方Mg ZnO薄膜的晶粒间界及带宽差,引入空穴陷阱,实现低暗电流,利用隧穿效应实现高光响应,将日盲区探测延伸到250 nm以内,实现双层膜同时探测UVA、UVB及UVC三波段,简化器件结构,拓宽紫外探测范围深度,提升应用价值。（4）从加速光生载流子分离,拓展器件探测范围至可见-近红外光区入手,引入窄带隙p-CuxO半导体材料,构建p-n异质结垂直结构光电器件。提高光吸收效率,充分利用结间内建电场,实现0外置电压下自供电的紫外-可见双色探测及低偏置电压下的紫外-可见-近红外多色探测。提高器件性能,缩短光响应时间,降低使用能耗,提高太阳光谱利用率和光电器件探测捕捉多波段信号的能力。无需制冷,促进了室温条件下金属氧化物在功能性器件中的直接应用,实现了单片集成式的多色探测。
二、Electrochemistry of sphalerite activated by Cu~(2+) ion（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、Electrochemistry of sphalerite activated by Cu~(2+) ion（论文提纲范文）
（1）硫化铅锌矿石浮选分离技术研究进展（论文提纲范文）
| 1 前言 |
| 2 硫化铅锌矿物难以分离的原因 |
| 2.1 硫化铅锌矿物的晶体结构与表面性质 |
| 2.2 硫化铅锌矿物的伴生关系与嵌布状态 |
| 3 硫化铅锌矿石浮选工艺 |
| 4 硫化铅锌矿石浮选药剂 |
| 4.1 捕收剂 |
| 4.2 抑制剂 |
| 4.2.1 无机抑制剂 |
| (1)亚硫酸和亚硫酸盐类： |
| (2)硫化钠： |
| (3)石灰： |
| (4)硫酸锌： |
| (5)氰化物： |
| 4.2.2 有机抑制剂 |
| (1)二甲基二硫代氨基甲酸钠(DMDC): |
| (2)壳聚糖： |
| (3)果胶： |
| (4)海藻酸钠： |
| 4.2.3 新型抑制剂 |
| 4.3 活化剂 |
| 5 展望 |
（2）典型铜铅锌硫化矿的表面氧化机理研究进展（论文提纲范文）
| 1 方铅矿、闪锌矿和黄铜矿的表面特性 |
| 2 铜、铅、锌硫化矿物的表面氧化机理 |
| 2.1 方铅矿的表面氧化机理 |
| 2.1.1 重铬酸盐氧化法 |
| 2.1.2 亚硫酸（盐）氧化法 |
| 2.1.3 硫酸氧化法 |
| 2.2 闪锌矿的表面氧化机理 |
| 2.2.1 氰化物氧化法 |
| 2.2.2 硫酸锌+亚硫酸钠氧化法 |
| 2.2.3 高锰酸钾+海藻酸钠氧化法 |
| 2.2.4 H2O2+海藻酸钠氧化法 |
| 2.3 黄铜矿的表面氧化机理 |
| 2.3.1 氰化物氧化法 |
| 2.3.2 石灰氧化法 |
| 2.3.3 H2O2氧化法 |
| 3 结论与展望 |
（3）铜离子对闪锌矿、黄铁矿浮选的选择性活化机理研究（论文提纲范文）
| 1 闪锌矿的铜离子活化浮选 |
| 1.1 不同p H值条件下铜离子对闪锌矿的活化机理 |
| 1.1.1 酸性条件下铜离子对闪锌矿的活化机理 |
| 1.1.2 碱性条件下铜离子对闪锌矿的活化机理 |
| 1.2 铜离子浓度及活化时间对闪锌矿活化浮选的影响 |
| 1.3 闪锌矿中铁的含量对铜离子活化的影响 |
| 1.4 闪锌矿表面氧化程度对铜离子活化的影响 |
| 1.5 铜离子活化闪锌矿的有效性 |
| 2 黄铁矿的铜离子活化浮选 |
| 2.1 未活化时黄铁矿的浮选行为 |
| 2.2 铜离子对黄铁矿的活化机理 |
| 2.3 铜离子活化黄铁矿的有效性 |
| 3 闪锌矿和黄铁矿的浮选分离研究 |
| 4 结论 |
（4）硫化铅锌矿物浮选药剂应用研究进展（论文提纲范文）
| 1 铅、锌分离捕收剂应用研究进展 |
| 1.1 硫化铅矿捕收剂 |
| 1.2 硫化锌矿捕收剂 |
| 2 硫化锌矿抑制剂应用研究进展 |
| 2.1 无机抑制剂 |
| 2.2 有机抑制剂 |
| 3 硫化锌矿活化剂应用研究进展 |
| 4 pH值调整剂应用研究进展 |
| 5 结语与展望 |
（5）离子液体辅助制备Cu-In-Zn-S和CsPbX3纳米晶及其荧光性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 半导体纳米晶的概述 |
| 1.1.1 半导体纳米晶的定义与基本性质 |
| 1.1.2 半导体纳米晶的发展历程 |
| 1.1.3 半导体纳米晶的分类及光学特点 |
| 1.2 I-III-VI族多元半导体纳米晶 |
| 1.2.1 I-III-VI族半导体纳米晶的基本性质 |
| 1.2.2 I-III-VI族纳米晶的制备 |
| 1.2.3 I-III-VI族纳米晶在照明显示领域的应用 |
| 1.3 铅卤钙钛矿纳米晶 |
| 1.3.1 铅卤钙钛矿矿纳米晶的性质 |
| 1.3.2 铅卤钙钛矿矿纳米晶的合成方法 |
| 1.3.3 铅卤钙钛矿矿纳米晶的稳定性改善 |
| 1.3.4 铅卤钙钛矿纳米晶的光电应用 |
| 1.4 离子液体 |
| 1.4.1 离子液体的概述 |
| 1.4.2 离子液体的特性 |
| 1.4.3 离子液体的应用 |
| 1.5 本论文的研究意义及目的 |
| 1.6 本论文的研究内容 |
| 2 实验部分 |
| 2.1 实验主要的化学药品及试剂 |
| 2.2 制备方法 |
| 2.2.1 离子液体辅助水热法制备Cu-In-Zn-S纳米晶 |
| 2.2.2 过饱和重结晶法制备CsPbBr_3钙钛矿纳米晶 |
| 2.2.3 CsPbX_3@SiO_2纳米晶的制备 |
| 2.2.4 白光LED器件的组装 |
| 2.3 测试与表征 |
| 2.3.1 X射线衍射分析 |
| 2.3.2 透射电子显微镜 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱 |
| 2.3.4 傅里叶转换红外光谱仪 |
| 2.3.5 光致发光光谱 |
| 2.3.6 紫外-可见分光光度计 |
| 2.3.7 紫外光电子能谱 |
| 2.3.8 时间分辨荧光光谱 |
| 2.3.9 荧光量子产率 |
| 2.3.10 变温荧光光谱 |
| 2.3.11 电致发光光谱 |
| 3 离子液体辅助水热法制备Cu-In-Zn-S纳米晶及其荧光性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 制备过程 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 反应温度对CIZS纳米晶的影响 |
| 3.3.2 反应时间对CIZS纳米晶的影响 |
| 3.3.3 离子液体[Mim]BF_4添加量对CIZS纳米晶的影响 |
| 3.3.4 [Mim]BF_4与CIZS纳米晶的作用机理探究 |
| 3.3.5 氟源种类对CIZS纳米晶的影响 |
| 3.3.6 金属离子比例对CIZS纳米晶的影响 |
| 3.3.7 CIZS/ZnS核/壳结构纳米晶的荧光性能研究 |
| 3.3.8 CIZS/ZnS/PVP复合荧光粉的荧光性能研究 |
| 3.3.9 CIZS/ZnS/PVP复合荧光粉在白光LED中的应用研究 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 离子液体辅助过饱和重结晶法制备CsPbBr_3纳米晶及其荧光性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 制备过程 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 Pb/Cs比对CsPbBr_3纳米晶的影响 |
| 4.3.2 离子液体[Bmim]Br添加量对CsPbBr_3纳米晶的影响 |
| 4.3.3 CsPbBr_3纳米晶的稳定性研究 |
| 4.3.4 离子液体[Bmim]Br对CsPbBr_3纳米晶的表面钝化机理研究 |
| 4.3.5 阳离子浓度对CsPbBr_3纳米晶的影响 |
| 4.3.6 配体添加量对CsPbBr_3纳米晶的影响 |
| 4.3.7 阴离子组分对CsPbX_3纳米晶的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 含氟酸根离子液体原位钝化CsPbBr_3纳米晶表面缺陷及其机理研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 制备过程 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 [Bmim]BF_4添加量对CsPbBr_3纳米晶的影响 |
| 5.3.2 [Bmim]BF_4原位钝化CsPbBr_3纳米晶的机理研究 |
| 5.3.3 离子液体的阳离子链长及添加量对CsPbBr_3纳米晶的影响 |
| 5.3.4 氟源类型对CsPbBr_3纳米晶的影响 |
| 5.3.5 前驱体与反溶剂体积比对CsPbBr_3纳米晶的影响 |
| 5.3.6 OA添加量对CsPbBr_3纳米晶的影响 |
| 5.3.7 OAm添加量对CsPbBr_3纳米晶的影响 |
| 5.3.8 CsPbBr_3纳米晶的稳定性研究 |
| 5.3.9 CsPbBr_3纳米晶在白光LED中的应用 |
| 5.4 本章小结 |
| 6 离子液体辅助制备CsPbX_3@SiO_2纳米晶及其荧光性能研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 制备过程 |
| 6.3 结果与讨论 |
| 6.3.1 APTES添加量对CsPbBr_3@SiO_2纳米晶的影响 |
| 6.3.2 反应时间对CsPbBr_3@SiO_2纳米晶的影响 |
| 6.3.3 APTES引入方式对CsPbBr_3@SiO_2纳米晶的影响 |
| 6.3.4 APTES与CsPbBr_3@SiO_2纳米晶作用机理研究 |
| 6.3.5 离子液体对CsPbBr_3@SiO_2纳米晶的影响 |
| 6.3.6 CsPbBr_3@SiO_2纳米晶的稳定性研究 |
| 6.3.7 CsPbX_3@SiO_2纳米晶的荧光性能研究 |
| 6.3.8 CsPbBr_3@SiO_2纳米晶在白光LED中的应用 |
| 6.4 本章小结 |
| 7 结论与展望 |
| 7.1 结论 |
| 7.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间的学术成果 |
（6）ZnO基复合材料的制备及光催化性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 半导体光催化 |
| 1.1.1 引言 |
| 1.1.2 半导体光催化的原理 |
| 1.1.3 半导体光催化的研究现状及应用 |
| 1.2 ZnO光催化材料 |
| 1.2.1 ZnO的晶体结构 |
| 1.2.2 ZnO的制备方法 |
| 1.2.3 ZnO光催化存在的问题 |
| 1.3 ZnO基复合材料 |
| 1.3.1 离子掺杂 |
| 1.3.2 金属-半导体复合 |
| 1.3.3 碳-半导体复合 |
| 1.3.4 半导体-半导体复合 |
| 1.4 选题意义和研究内容 |
| 第2章 花状ZnO@ZnS核壳结构的制备及其光催化裂解水制氢 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验试剂 |
| 2.2.2 实验仪器 |
| 2.2.3 花状ZnO纳米棒的合成 |
| 2.2.4 ZnO@ZnS核壳结构的合成 |
| 2.2.5 光催化制氢测试 |
| 2.2.6 光电化学测试 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.4 结论 |
| 第3章 Cu@Cu_2O@ZnO的 Z-型机制提高了光催化活性 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验试剂 |
| 3.2.2 实验仪器 |
| 3.2.3 ZnO的合成 |
| 3.2.4 Cu@Cu_2O@ZnO的合成 |
| 3.2.5 光催化活性测试 |
| 3.2.6 光电化学测试 |
| 3.2.7 ·OH的检测 |
| 3.3 结果与讨论· |
| 3.4 结论 |
| 第4章 ZnO/RGO/g-C_3N_4三元异质结制备及光催化降解 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 实验试剂 |
| 4.2.2 实验仪器 |
| 4.2.3 ZnO/RGO的合成 |
| 4.2.4 g-C_3N_4的合成 |
| 4.2.5 ZnO/RGO/g-C_3N_4的合成 |
| 4.2.6 光催化性能测试 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.4 结论 |
| 第5章 论文总结 |
| 5.1 主要结论 |
| 5.2 创新点 |
| 5.3 有待于进一步研究 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在学期间主要科研成果 |
（7）微波作用下载金硫化物中单质硫的释放及其浸金机制研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 引言 |
| 2 文献综述 |
| 2.1 黄金矿产资源概况 |
| 2.1.1 黄金资源储量分布 |
| 2.1.2 金的赋存状态研究 |
| 2.2 非氰浸金技术的研究进展 |
| 2.2.1 含硫试剂浸金的研究现状 |
| 2.2.2 金精矿预处理方法的概述 |
| 2.3 黄铁矿高温相变的研究进展 |
| 2.4 微波在湿法冶金领域的应用 |
| 2.4.1 微波加热的基本原理及优势 |
| 2.4.2 微波焙烧强化浸出研究现状 |
| 2.5 小结 |
| 3 研究内容与方法 |
| 3.1 研究目标 |
| 3.2 研究技术路线 |
| 3.3 研究内容 |
| 3.4 研究方法 |
| 3.4.1 试验研究方法 |
| 3.4.2 分析检测方法 |
| 3.5 试验原料、药剂与设备 |
| 3.5.1 试验原料及性质 |
| 3.5.2 试验药剂与设备 |
| 4 载金硫化物热分解的热力学及原位相变过程 |
| 4.1 单质硫生成过程的热力学分析 |
| 4.2 载金硫化物的热分解特性研究 |
| 4.3 黄铁矿热分解相变的原位研究 |
| 4.3.1 高温原位X射线衍射分析 |
| 4.3.2 高温原位Raman光谱分析 |
| 4.3.3 表面微观形貌的演变过程 |
| 4.4 小结 |
| 5 微波场中载金硫化物的介电响应及失重行为 |
| 5.1 微波作用下黄铁矿升温行为研究 |
| 5.2 微波场中载金硫化物的介电响应 |
| 5.3 微波场中黄铁矿热分解失重行为 |
| 5.3.1 单因素条件试验研究 |
| 5.3.2 多因素响应曲面研究 |
| 5.4 小结 |
| 6 微波作用下单质硫的释放机理及其浸金机制 |
| 6.1 载金黄铁矿微波热分解的相变行为研究 |
| 6.1.1 不同辐射时间下的物相转变规律 |
| 6.1.2 不同加热温度下的物相转变规律 |
| 6.1.3 硫元素赋存状态的变化规律 |
| 6.1.4 微波作用下晶体结构的演变 |
| 6.2 微波热分解对金嵌布特征的影响 |
| 6.3 单质硫的表征及其浸出性能研究 |
| 6.3.1 单质硫晶体结构的表征研究 |
| 6.3.2 单质硫浸金性能的验证试验 |
| 6.4 单质硫在碱性溶液中浸金作用机制研究 |
| 6.4.1 含硫试剂浓度对金溶出的影响 |
| 6.4.2 加热温度对金溶出过程的影响 |
| 6.4.3 铜氨配合物对浸金过程的影响 |
| 6.4.4 单质硫来源对浸金过程的影响 |
| 6.5 小结 |
| 7 微波辐射对硫元素转化的促进作用及其机理 |
| 7.1 微波辐射与常规加热下相变过程的对比研究 |
| 7.1.1 加热方式对物相转变行为的影响 |
| 7.1.2 加热方式对产物中硫含量的影响 |
| 7.1.3 加热方式对硫形态转化的影响 |
| 7.1.4 加热方式对颗粒结构形貌的影响 |
| 7.2 微波辐射与常规加热下反应动力学对比研究 |
| 7.3 黄铁矿热分解过程的从头算分子动力学模拟 |
| 7.4 外加电场对黄铁矿电子结构的影响 |
| 7.5 外加磁场对黄铁矿分解反应的影响 |
| 7.6 小结 |
| 8 结论与创新点 |
| 8.1 主要结论 |
| 8.2 创新点 |
| 参考文献 |
| 作者简历及在学研究成果 |
| 学位论文数据集 |
（8）酰基硫代酰胺对硫化矿的浮选性能与机理研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 1 前言 |
| 1.1 课题研究背景 |
| 1.2 铜资源概述 |
| 1.3 硫化矿的综合回收利用 |
| 1.3.1 硫化矿浮选设备 |
| 1.3.2 常用硫化矿浮选工艺 |
| 1.3.3 硫化矿常用捕收剂的研究进展与现状 |
| 1.4 铜硫浮选捕收剂设计 |
| 1.4.1 软硬酸碱原理 |
| 1.4.2 前线分子轨道理论 |
| 1.4.3 量子化学计算 |
| 1.5 表面检测手段 |
| 1.6 选题意义及主要研究内容 |
| 1.6.1 论文的选题意义 |
| 1.6.2 论文的主要研究内容 |
| 2 实验试剂、仪器设备、矿样和实验方法 |
| 2.1 主要试剂 |
| 2.2 仪器设备 |
| 2.3 实验矿样 |
| 2.4 实验方法 |
| 2.4.1 捕收剂的分析与表征 |
| 2.4.2 捕收剂的含量测定 |
| 2.4.3 溶液配制 |
| 2.4.4 单矿物浮选实验 |
| 2.4.5 捕收剂与金属离子及矿物作用机理研究 |
| 3 酰基硫代酰胺捕收剂的设计与DFT计算 |
| 3.1 酰基硫代酰胺捕收剂的设计 |
| 3.2 捕收剂分子最优构型及参数 |
| 3.3 酰基硫代酰胺的疏水性 |
| 3.4 捕收剂分子的电荷分布 |
| 3.4.1 分子静电势 |
| 3.4.2 原子净电荷 |
| 3.5 捕收剂的前线分子轨道 |
| 3.6 本章小结 |
| 4 酰基硫代酰胺的合成与表征 |
| 4.1 酰基硫代酰胺的合成原理与步骤 |
| 4.1.1 酰基硫代酰胺的合成原理 |
| 4.1.2 酰基硫代酰胺的合成步骤 |
| 4.2 酰基硫代酰胺的结构表征 |
| 4.2.1 紫外光谱 |
| 4.2.2 红外光谱 |
| 4.2.3 核磁共振波谱 |
| 4.2.4 质谱 |
| 4.3 本章小结 |
| 5 酰基硫代酰胺对黄铜矿和黄铁矿的浮选性能与作用机理 |
| 5.1 酰基硫代酰胺对黄铜矿和黄铁矿的浮选性能 |
| 5.2 接触角 |
| 5.3 Zeta电位 |
| 5.4 TTBA在黄铜矿表面的吸附 |
| 5.4.1 吸附时间和温度对TTBA在黄铜矿表面吸附量的影响 |
| 5.4.2 TTBA在黄铜矿表面的吸附等温线 |
| 5.4.3 TTBA在黄铜矿表面的吸附动力学 |
| 5.4.4 TTBA在黄铜矿表面的吸附热力学 |
| 5.5 XPS结果分析 |
| 5.6 本章小结 |
| 6 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文目录 |
（9）不同形貌硒化铜微纳米晶的制备及其电化学性质的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 选题背景及研究的目的和意义 |
| 1.2 硒化铜纳米材料的应用 |
| 1.2.1 硒化铜纳米材料在传感器方面的应用 |
| 1.2.2 硒化铜纳米材料在电化学方面的应用 |
| 1.2.3 硒化铜纳米材料在光热转换方面的应用 |
| 1.2.4 硒化铜在量子点敏化太阳能电池方面的应用 |
| 1.2.5 硒化铜在光催化方面的应用 |
| 1.2.6 硒化铜在热电转换材料方面的应用 |
| 1.3 纳米晶的过程生长动力学 |
| 1.3.1 纳米粒子的自组装 |
| 1.3.2 纳米晶生长过程中的形貌转变 |
| 1.4 纳米晶的电化学研究现状 |
| 1.4.1 纳米晶的形貌电化学 |
| 1.4.2 纳米晶的电极过程动力学 |
| 1.5 本文主要研究内容 |
| 第二章 多面体形貌硒化铜微纳米晶的制备 |
| 2.2 纳米硒化铜的制备 |
| 2.2.1 水热法 |
| 2.2.2 多元醇溶液化学法 |
| 2.2.3 溶液胶体法 |
| 2.2.4 沉积法 |
| 2.2.5 微波辅助法 |
| 2.2.6 溶剂热法 |
| 2.2.7 牺牲模板法 |
| 2.2.8 CuSe_2微纳米晶的制备方案 |
| 2.3 实验部分 |
| 2.3.1 实验药品与仪器 |
| 2.3.2 实验步骤 |
| 2.3.3 实验原理 |
| 2.3.4 表征 |
| 2.4 CuSe_2微纳米晶制备结果与讨论 |
| 2.4.1 不同形貌CuSe_2微纳米晶的XRD表征结果 |
| 2.4.2 不同形貌CuSe_2微纳米晶的SEM表征 |
| 2.4.3 反应物配比对CuSe_2微纳米晶形貌的影响 |
| 2.4.4 PVP用量对CuSe_2微纳米晶形貌的影响 |
| 2.4.5 TETA用量对CuSe_2微纳米晶形貌的影响 |
| 2.4.6 反应物浓度对CuSe_2微纳米晶形貌的影响 |
| 2.4.7 温度对CuSe_2微纳米晶形貌的影响 |
| 2.4.8 PVP分子量CuSe_2形貌的影响 |
| 2.4.9 不同反应条件CuSe纳米片形貌的影响 |
| 2.4.10 不同反应条件对CuSe六角棱柱形貌的影响 |
| 2.4.11 不同反应条件对空心八面体CuSe形貌的影响 |
| 2.4.12 不同反应条件对十四面体CuSe_2形貌的影响 |
| 2.4.13 不同反应条件对截八面体CuSe_2微纳米晶形貌的影响 |
| 2.4.14 不同反应条件对立方体CuSe_2形貌的影响 |
| 2.4.15 不同反应条件对异形八面体CuSe_2形貌的影响 |
| 2.4.16 不同反应条件对二十面体CuSe_2形貌的影响 |
| 2.4.17 不同反应条件对五角十二面体CuSe_2形貌的影响 |
| 2.5 小结 |
| 第三章 硒化铜微纳米晶的生成机理 |
| 3.1 CuSe_2微纳米晶的生长 |
| 3.2 CuSe_2微纳米晶的形貌演变 |
| 3.2.1 八面体CuSe_2微纳米晶到立方体的单晶演变 |
| 3.2.2 八面体CuSe_2微纳米晶到菱形十二面体的单晶演变 |
| 3.2.3 八面体CuSe_2微纳米晶到五角十二面体的演变 |
| 3.2.4 CuSe_2纳米棒的形貌演变 |
| 3.3 CuSe_2微纳米晶的衍生 |
| 3.3.1 多面体CuSe_2微纳米晶的衍生 |
| 3.3.2 星形结构CuSe_2微纳米晶的生长 |
| 3.3.3 CuSe_2微纳米晶的接枝生长 |
| 3.4 CuSe微纳米晶的自组装 |
| 3.4.1 六边形和三角形纳米板 |
| 3.4.2 六边形CuSe纳米板的自组装 |
| 3.4.3 三角CuSe纳米板的自组装 |
| 3.5 立方体CuSe_2微纳米晶的孪晶演变 |
| 3.6 小结 |
| 第四章 CuSe_2微纳米晶的电化学性质 |
| 4.1 实验部分 |
| 4.1.1 实验仪器 |
| 4.1.2 实验试剂 |
| 4.1.3 纳米CuSe_2电极的制备 |
| 4.2 循环伏安测试结果 |
| 4.3 交流阻抗测试结果 |
| 4.4 恒电流充放电测试结果 |
| 4.5 小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
（10）ZnO基多色光电探测器的制备及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 半导体光电探测器探测原理及性能参数 |
| 1.2.1 光电探测器的探测原理 |
| 1.2.2 光电探测器的主要性能参数 |
| 1.3 多色光电探测器的分类 |
| 1.3.1 探测范围的分类 |
| 1.3.2 器件结构的分类 |
| 1.4 ZnO基半导体薄膜及其多色光电探测器的研究进展 |
| 1.4.1 ZnO基半导体的基本性质 |
| 1.4.2 ZnO基多色光电探测器的发展现状 |
| 1.5 ZnO基半导体及其多色光电探测器存在的问题 |
| 1.6 论文选题依据和主要内容 |
| 第2章 ZnO基薄膜光电探测器的制备和表征手段 |
| 2.1 ZnO基光电探测器的制备方法 |
| 2.1.1 射频磁控溅射技术 |
| 2.1.2 湿法刻蚀技术 |
| 2.2 薄膜器件的表征手段 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD) |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) |
| 2.2.3 吸收-透过光谱(A-T) |
| 2.2.4 霍尔效应(Hall mobility) |
| 2.2.5 光谱响应(R) |
| 2.2.6 光暗电流(I-V) |
| 2.2.7 响应时间(I-t) |
| 2.3 实验的方案设计 |
| 2.3.1 实验流程 |
| 2.3.2 实验设备和试剂 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 ZnO基薄膜及其紫外光电探测器的制备和性能研究 |
| 3.1 ZnO基薄膜的制备与表征 |
| 3.2 ZnO基紫外光电探测器的制备与性能研究 |
| 3.3 本章小结 |
| 第4章 MgZnO/ZnO可见盲光电探测器的制备和性能研究 |
| 4.1 耗尽层宽度对Mg_(0.2)Zn_(0.8)O/ZnO可见盲光电探测器性能的调控 |
| 4.2 二维电子气对ZnO/Mg_(0.2)Zn_(0.8)O可见盲光电探测器性能的优化 |
| 4.3 本章小结 |
| 第5章 MgZnO/ZnO日盲-可见盲光电探测器的制备和性能研究 |
| 5.1 异质外延对六方相Mg_(0.51)Zn_(0.49)O/ZnO日盲-可见盲光电探测器性能的优化 |
| 5.2 施加偏压对ZnO/混相Mg ZnO日盲-可见盲光电探测器内增益的调控 |
| 5.3 本章小结 |
| 第6章 Mg_xZn_(1-x)O/Cu_xO紫外-可见/紫外-可见-近红外光电探测器的制备和性能研究 |
| 6.1 p-Cu_xO材料的制备和表征 |
| 6.2 ZnO/Cu_2O自供电紫外-可见光电探测器的制备与性能研究 |
| 6.3 MgZnO/CuO NW/Cu_2O紫外-可见-近红外光电探测器的制备与性能研究 |
| 6.4 本章小结 |
| 第7章 结论与展望 |
| 7.1 结论 |
| 7.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
| 致谢 |
四、Electrochemistry of sphalerite activated by Cu~(2+) ion（论文参考文献）
- [1]硫化铅锌矿石浮选分离技术研究进展[J]. 王潇,文书明,韩广,廖润鹏,孟胜冰,丰奇成. 矿产保护与利用, 2021
- [2]典型铜铅锌硫化矿的表面氧化机理研究进展[J]. 晋艳玲,谢海云,张培,柳彦昊,孙瑞,冯艳虎. 矿冶, 2021(04)
- [3]铜离子对闪锌矿、黄铁矿浮选的选择性活化机理研究[J]. 赵清平,蓝卓越,童雄. 矿产综合利用, 2021(03)
- [4]硫化铅锌矿物浮选药剂应用研究进展[J]. 胡盘金,郑永兴,包凌云,黄宇松,宁继来. 矿冶, 2021(03)
- [5]离子液体辅助制备Cu-In-Zn-S和CsPbX3纳米晶及其荧光性能研究[D]. 徐彦乔. 景德镇陶瓷大学, 2021(11)
- [6]ZnO基复合材料的制备及光催化性能研究[D]. 杨新迎. 齐鲁工业大学, 2021(09)
- [7]微波作用下载金硫化物中单质硫的释放及其浸金机制研究[D]. 张晓亮. 北京科技大学, 2021(08)
- [8]酰基硫代酰胺对硫化矿的浮选性能与机理研究[D]. 马东. 青岛科技大学, 2021(01)
- [9]不同形貌硒化铜微纳米晶的制备及其电化学性质的研究[D]. 集博腾. 太原理工大学, 2021(01)
- [10]ZnO基多色光电探测器的制备及性能研究[D]. 周璇. 长春理工大学, 2021(01)